铠侠上周披露，第二财季 #NAND 闪存平均售价环比上涨约20%至30%，而上一财季的涨幅约为70%。这意味着，尽管AI数据中心需求仍在推动存储价格上涨，但此前连续几个季度的高速涨价势头已经开始减弱。 存储芯片供应紧张局面预计将延续至下一财年，公司2027年全年产能已经售罄，并且已经通过与超大规模云计算客户签订长期协议，锁定了2028年预计出货量的一半以上。 在资本市场布局上，铠侠透露计划明年在美国发行存托凭证（#ADR），效仿SK海力士今年初赴美上市的路径，旨在拓宽亚洲以外的投资者基础，并为庞大的资本支出计划拓展融资渠道。
#铠侠 考虑赴美发行 #ADR 募资至少100亿美元，或于明年上市。
#SK海力士 美国存托凭证（#ADR ）与韩国本地股之间的巨大价差（前者相对韩国本地股的溢价一度高达51%，截至周三仍维持在约33%的高位。），短期内将无从消弭。 周四，韩国证券存管机构（KSD）明确，SK海力士将本地股转换为ADR的比例上限设定为总股本的2.5%，且该额度已在7月10日完成的265亿美元ADR发行中全部耗尽。 台积电ADR持有人可将凭证转换为 台股本地份额，但本地股无法自由转换为ADR，这一单向机制导致其美股长期维持溢价。据彭博数据，过去五年台积电ADR平均溢价约为12.6%。 #套利
#SK海力士 #ADR 指导价149美元，较韩股收盘价溢价3.1%。SK海力士ADR指导价定为每股149美元，募资约265亿美元，有望刷新外国企业赴美IPO纪录。机构认购倍数超7倍，需求强劲。股票预计周五以“SKHYV”预发行，7月13日正式挂牌。 韩股周五早盘中， SK海力士股价由上涨转为下跌0.1%
SK海力士 #ADR 即将登陆美股，瑞银直接喊出"做多ADR、做空韩股"的 #套利 策略。 根据向（SEC）提交的文件，持有美国存托凭证（ADR）的投资者可将其注销并换取相应数量的首尔上市股票。若反向操作——即将韩国本地股转换为ADR——则可能需要获得包括韩国监管机构在内的相关审批，届时该路径未必畅通。 交易逻辑：ADR持仓成本更低、全球准入更广，而换股机制的潜在限制或使溢价长期存在——台积电ADR至今仍较中国台湾本地股溢价16%即为先例。
#SK海力士 计划最早于今年8月在纳斯达克挂牌上市，预计募资高达140亿美元。 SEC可能在6月22日当周批准其 #ADR 上市申请。
#SK海力士 计划最早今年8月赴美上市，SEC最快可能在6月22日当周批准其 #ADR 申请。 作为英伟达HBM芯片关键供应商，SK海力士市值已突破1万亿美元，股价年内累计上涨202%。
#SK海力士 正以超预期节奏冲刺美股上市，目标时间窗口锁定今年6至7月，拟募资约100亿美元。驱动这场百亿融资的，是高达600万亿韩元的长期资本蓝图，更是一场估值保卫战： 公司预期市盈率仅3至4倍，不及美光的一半、闪迪的零头。一旦 #ADR 敲钟，全球资金将首次直通全球最大 #HBM 供应商。
#SK海力士 率先提交 #ADR 美股上市申请。 三星电子大股东Artisan Partners随即公开表示，力推 #三星 跟进。估值是核心原因：韩国存储芯片公司目前估值明显低于美国同行，赴美上市有望打通外资流入通道，推动价值重估。
11月25日，创业板50ETF以存托凭证的形式在泰国证券交易所上市。 据悉，这是泰国上市的首只挂钩中国内地ETF的存托凭证，也是中国内地首只以存托凭证形式“出海”的ETF产品。 #ADR